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Q) 비휘발성 메모리인 낸드플래시(NAND Flash)를 수직으로 적층하여 대용량·저전력을 구현한 차세대 메모리는 무엇일까요?
1) HBM
2) HBF
3) LPDDR
4) SSD
차세대 AI 메모리 시장의 새 주인공으로 주목받고 있습니다.
HBF(High Bandwidth Flash)는 낸드플래시를 수직으로 적층해 만든 차세대 메모리입니다.
'낸드플래시(NAND Flash)'는 전원이 꺼진 상태에서도 데이터가 저장되는 비휘발성 플래시 메모리로, AI 기술 발전과 함께 거대언어모델(LLM)이 처리하는 데이터 용량이 급격히 증가하면서 대용량 데이터 저장 수단으로 주목받고 있습니다.
HBF는 D램을 수직 적층한 고대역폭메모리(HBM)의 대안으로 등장했으며, D램 대신 낸드플래시를 적층한 구조를 갖습니다.
D램 대신 낸드플래시를 적층한 구조입니다.
HBM과 비교해 용량은 8~16배 크고 전력 소모가 적다는 장점이 있으며, 기존 낸드 기반 저장장치 대비 속도·내구성·전력 효율 개선이기대됩니다.
다만 데이터 처리 속도가 D램보다 느리고 지연이 발생할 수 있어 아직 상용화에는 이르지 못했습니다.
업계에서는 이르면 2026년 1세대 제품 출시, 본격적인 양산은 2028년 이후로 전망하고 있습니다.
출처 : 네이버 지식백과 [시사상식사전 - HBF]
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